Propesyonal nga China Intelligent Combined Anti-Harmonic Low Voltage Power Capacitor Compensation Device Intelligent Power Capacitor (Reactor Three Phase Compensation 480V 7%)

Mubo nga paghulagway:

Modelo sa Capacitor: Serye sa DMJ-MC

Uban sa usa ka gimarkahan nga boltahe nga range gikan sa 450 hangtod 4000 VDC ug usa ka capacitance range gikan sa 50-4000 UF, ang DMJ-MC capacitor nasangkapan sa mga copper nuts ug plastik nga tabon alang sa pagkakabukod.Giputos kini sa aluminum cylinder ug gipuno sa uga nga resin.Ang mas dako nga kapasidad sa mas gamay nga gidak-on, ang DMJ-MC capacitor mahimong sayon nga ma-install.

Ang DMJ-MC metalized film capacitor sa CRE adunay competitive nga bentaha sa tradisyonal nga electrolytic capacitor sa frequency converters ug inverters tungod sa mas gamay nga gidak-on niini, mas taas nga energy density, resistensya sa mas taas nga boltahe, mas taas nga life expectancy, ubos nga gasto sa produksyon ug talagsaon nga kapabilidad sa pag-ayo sa kaugalingon.

Ipadala ang email kanamo I-download isip PDF

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang among pag-uswag nag-agad sa palibot sa sopistikado nga galamiton, talagsaon nga mga talento ug balik-balik nga gipalig-on nga mga pwersa sa teknolohiya alang sa Propesyonal nga China Intelligent Combined Anti-Harmonic Low Voltage Power Capacitor Compensation Device Intelligent Power Capacitor (Reactor Three Phase Compensation 480V 7%), Nagpadayon kami sa tukma sa panahon nga mga iskedyul sa pagpadala, modernong mga disenyo , taas nga kalidad ug transparency alang sa among mga kliyente.Ang among moto mao ang paghatud sa taas nga kalidad nga mga solusyon sa gitakda nga oras.
Ang among pag-uswag nagdepende sa sopistikado nga gamit, talagsaon nga mga talento ug balik-balik nga gipalig-on nga mga pwersa sa teknolohiya alang saChina Power Capacitor ug Intelligent Capacitor, Ang matag customer nga makatagbaw mao ang atong tumong.Nangita kami og dugay nga kooperasyon sa matag kustomer.Aron matubag kini, gipadayon namon ang among kalidad ug naghatag usa ka talagsaon nga serbisyo sa kustomer.Malipayon nga pag-abut sa among kompanya, kami nagpaabut nga mokooperar kanimo.

Teknikal nga datos

Sakup sa temperatura sa operasyon	+85 ℃ hangtod sa -40 ℃
Anaa nga Capacitance range	50μF～4000μF
Gi-rate nga boltahe	450V.DC～4000V.DC
Pagkamatugtanon sa kapasidad	±5%(J);±10%(K)
Makasukol sa boltahe	Vt-t	1.5Un DC/60S
	Vt-c	1000+2×Un/√2 (V.AC) 60S(min3000 V.AC)
Labaw sa Boltahe	1.1Un(30% sa on-load-dur.)
	1.15Un(30min/adlaw)
	1.2Un(5min/adlaw)
	1.3Un(1min/adlaw)
	1.5Un (100ms matag higayon, 1000 ka beses sa tibuok kinabuhi)
Kahulogan sa dissipasyon	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
Pagbatok sa insulasyon	Rs*C≥10000S (sa 20 ℃ 100V.DC 60s)
Pagpugong sa siga	UL94V-0
Maximum nga aititude	3500m
	Kung ang altitude labaw sa 3500m hangtod sa sulod sa 5500m, kinahanglan nga kontaka kami alang sa usa ka piho nga solusyon sa disenyo
Gidahom sa kinabuhi	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)
Sumbanan sa pakisayran	ISO9001;IEC61071;GB/T17702;

Espesipikasyon

ΦD(mm)	P(mm)	H1(mm)	S	F	M
76	32	20	M12×16	M6×10	M8 × 20
86	32	20	M12×16	M6×10	M8 × 20
96	45	20	M12×16	M6×10	M8 × 20
116	50	22	M12×16	M6×10	M8 × 20
136	50	30	M16×25	M6×10	M8 × 20

Boltahe	450V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
380	76	75	50	10	3.8	11.4	45	2.2	4.5	32	0.5
500	76	100	40	8	4.0	12.0	65	1.5	3.2	32	0.6
750	76	130	50	5	3.8	11.3	65	1.6	3.0	32	0.75
500	86	75	50	8	4.0	12.0	55	1.8	3.7	32	0.8
1000	86	130	50	5	5.0	15.0	70	1.5	2.7	32	1.1
650	86	100	40	5	3.3	9.8	75	1.2	3.0	32	0.9
650	86	95	40	5	3.3	9.8	75	1.2	3.0	32	0.85
650	96	75	50	5	3.3	9.8	60	1.5	3.7	45	0.75
1250	96	130	50	4	5.0	15.0	80	1	3.1	45	1.2
1800	116	130	50	4	7.2	21.6	85	0.8	3.5	50	1.6
1450	86	190	60	4	5.8	17.4	90	0.9	2.7	32	1.55
2700	116	190	60	3	8.1	24.3	100	0.8	2.5	50	2.45

Boltahe	600V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
250	76	75	40	15	3.8	11.3	40	3.1	4.0	32	0.5
320	76	100	40	10	3.2	9.6	40	2.2	5.7	32	0.6
470	76	130	45	12	5.6	16.9	60	1.8	3.1	32	0.75
330	86	75	40	15	5.0	14.9	45	2.4	4.1	32	0.8
600	86	120	45	12	7.2	21.6	60	1.3	4.3	32	1.05
650	86	130	50	12	7.8	23.4	70	1.2	3.4	32	1.1
650	86	95	50	15	9.8	29.3	65	1.2	3.9	32	0.85
1000	86	180	50	12	12.0	36.0	70	1.5	2.7	32	1.5
420	96	75	45	15	6.3	18.9	50	2	4.0	45	0.75
800	96	130	60	12	9.6	28.8	75	1.5	2.4	45	1.2
950	116	100	60	10	9.5	28.5	90	1.2	2.1	50	1.25
1200	116	130	70	8	9.6	28.8	80	1.2	2.6	50	1.6
1800	116	180	50	8	14.4	43.2	80	1.2	2.6	50	2.4
2700	116	260	70	5	13.5	40.5	100	0.9	2.2	50	3.2
2500	136	180	60	5	12.5	37.5	100	0.8	2.5	50	3.7
3750	136	260	70	4	15.0	45.0	115	0.7	2.2	50	4.7

Boltahe	700V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
200	76	75	40	15	3.0	9.0	40	4	3.1	32	0.5
400	76	130	45	15	6.0	18.0	60	2	2.8	32	0.75
420	76	130	50	15	6.3	18.9	60	2	2.8	32	0.75
600	86	125	60	15	9.0	27.0	45	3.2	3.1	32	1.05
550	86	130	50	12	6.6	19.8	65	1.8	2.6	32	1.1
680	96	130	45	12	8.2	24.5	75	1.5	2.4	45	1.2
720	96	125	60	12	8.6	25.9	55	2.6	2.5	45	1.15
1000	116	130	50	10	10.0	30.0	80	1	3.1	50	1.6
1000	96	180	60	10	10.0	30.0	75	1.2	3.0	45	1.6
1500	116	180	60	7	10.5	31.5	85	0.9	3.1	50	2.4
2000	116	230	70	7	14.0	42.0	85	0.8	3.5	50	3
2000	136	180	60	7	14.0	42.0	90	0.75	3.3	50	3.7
3000	136	230	70	5	15.0	45.0	100	0.7	2.9	50	4.2
3300	136	260	70	5	16.5	49.5	120	0.6	2.3	50	4.7

Boltahe	800V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
110	86	80	45	20	2.2	6.6	75	2	1.8	32	0.8
150	86	95	45	20	3.0	9.0	80	1.5	2.1	32	0.85
250	86	75	45	15	3.8	11.3	45	3.1	3.2	32	0.8
360	86	130	55	12	4.3	13.0	65	2.2	2.2	32	1.1
470	86	130	45	12	5.6	16.9	70	2.8	1.5	32	1.1
600	96	130	55	10	6.0	18.0	75	2.2	1.6	45	1.2
730	86	180	55	10	7.3	21.9	70	1.8	2.3	32	1.5
750	86	180	55	12	9.0	27.0	75	1.8	2.0	32	1.5
1000	96	180	60	10	10.0	30.0	75	1.3	2.7	45	1.6
900	116	130	65	7	6.3	18.9	80	1.4	2.2	50	1.6
1400	116	180	65	7	9.8	29.4	80	0.9	3.5	50	2.4
1000	116	125	60	7	7.0	21.0	70	1.4	2.9	50	1.55
2000	116	230	65	5	10.0	30.0	85	0.9	3.1	50	3
2800	136	230	70	5	14.0	42.0	100	0.8	2.5	50	4.2

Boltahe	900V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
160	76	75	40	15	3.0	9.0	35	3	5.4	32	0.5
320	76	130	50	15	5.0	14.9	60	3.2	1.7	32	0.75
350	76	125	50	15	5.0	15.0	40	2.8	4.5	32	0.75
210	86	75	40	15	3.2	9.5	40	2.2	5.7	32	0.8
450	86	125	45	12	5.4	16.2	50	2.7	3.0	32	1.1
420	86	130	45	12	5.0	15.1	65	2.5	1.9	32	1.1
490	86	120	45	10	4.9	14.7	70	1.8	2.3	32	1.05
510	86	120	45	10	5.1	15.3	70	1.8	2.3	32	1.05
660	86	180	50	10	6.6	19.8	70	2	2.0	32	1.5
900	86	230	50	10	9.0	27.0	65	2.1	2.3	32	1.8
580	96	125	50	10	5.8	17.4	55	3.3	2.0	45	1.2
540	96	130	50	7	3.8	11.3	75	1.5	2.4	45	1.2
630	116	100	55	7	4.4	13.2	60	2	2.8	50	1.3
860	116	125	55	7	6.0	18.1	60	2.2	2.5	50	1.55
810	116	130	60	7	5.7	17.0	80	1.2	2.6	50	1.6
1250	116	180	60	7	8.8	26.3	80	1.2	2.6	50	2.4
1700	116	230	60	5	8.5	25.5	80	1.1	2.8	50	3
1700	136	180	65	6	10.2	30.6	100	0.9	2.2	50	3.7
2400	136	230	70	5	12.0	36.0	100	0.95	2.1	50	4.2

Boltahe	1100V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
130	76	75	40	15	1.9	5.6	35	4.5	3.6	32	0.5
260	76	130	45	15	3.8	11.3	60	2.8	2.0	32	0.75
280	76	125	50	12	3.3	9.9	35	4	4.1	32	0.75
170	86	75	50	15	2.6	7.7	45	5	2.0	32	0.8
360	86	125	55	12	4.3	13.0	35	2.5	6.5	32	1.1
330	86	130	45	15	5.0	15.0	65	2.8	1.7	32	1.1
420	86	136	45	12	5.0	15.0	60	2	2.8	32	1.15
420	86	155	45	12	5.0	15.0	65	1.5	3.2	32	1.25
470	86	180	60	10	4.7	14.1	70	1.8	2.3	32	1.5
500	86	180	60	10	5.0	15.0	70	1.8	2.3	32	1.5
600	86	225	60	10	6.0	18.0	80	1.2	2.6	32	1.8
600	86	225	70	10	6.0	18.0	60	2.2	2.5	32	1.8
600	116	130	50	10	6.0	18.0	75	1.8	2.0	50	1.6
680	86	225	70	12	8.2	24.5	65	2.5	1.9	32	1.8
720	86	230	70	12	8.6	25.9	65	2.5	1.9	32	1.8
460	96	125	65	10	4.6	13.8	55	3.2	2.1	45	1.2
520	96	180	65	12	6.2	18.7	75	1.5	2.4	45	1.6
500	116	100	70	10	5.0	15.0	55	2.5	2.6	50	1.3
680	116	125	70	10	6.8	20.4	60	2.8	2.0	50	1.6
650	116	130	75	10	6.5	19.5	75	1.3	2.7	50	1.6
1000	116	180	75	12	12.0	36.0	75	1.5	2.4	50	2.4
1200	116	230	80	8	9.6	28.8	80	1.5	2.1	50	3
1200	116	230	75	12	14.4	43.2	105	0.9	2.0	50	3
1250	116	230	75	12	15.0	45.0	80	1.5	2.1	50	3
1300	116	230	75	12	15.6	46.8	80	1.5	2.1	50	3
1400	136	180	70	7	9.8	29.4	85	1.3	2.1	50	3.7
1700	136	230	70	5	8.5	25.5	100	1.4	1.4	50	4.2
1900	136	230	75	5	9.5	28.5	100	1.2	1.7	50	4.2
2800	136	335	80	5	14.0	42.0	120	0.8	1.7	50	6.1
3060	136	345	80	5	15.3	45.9	120	0.9	1.5	50	6.2
3200	136	335	80	5	16.0	48.0	120	0.85	1.6	50	6.1

Boltahe	1200V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
170	86	75	50	15	2.6	7.7	45	4.5	2.2	32	0.8
420	76	145	50	15	6.3	18.9	30	12	1.9	32	0.85
330	86	130	45	15	5.0	15.0	65	2.8	1.7	32	1.1
420	86	136	45	12	5.0	15.0	65	2	2.4	32	1.15
420	86	155	45	12	5.0	15.0	70	1.5	2.7	32	1.25
420	116	95	55	10	4.2	12.6	80	1.4	2.2	50	1.2
450	86	160	55	12	5.4	16.2	70	2.9	1.4	32	1.3
470	86	180	60	12	5.6	16.9	70	2.8	1.5	32	1.5
470	86	225	60	12	5.6	16.9	70	2.8	1.5	32	1.8
550	86	145	55	12	6.6	19.8	40	11	1.1	32	1,2
600	86	225	60	10	6.0	18.0	80	1.2	2.6	32	1.8
600	86	225	70	10	6.0	18.0	60	2.2	2.5	32	1.8
600	116	130	50	10	6.0	18.0	75	1.8	2.0	50	1.6
680	86	225	70	12	8.2	24.5	65	2.5	1.9	32	1.8
500	116	100	65	10	5.0	15.0	55	2.6	2.5	50	1.2
680	116	125	65	10	6.8	20.4	50	2.8	2.9	50	1.55
650	116	130	65	10	6.5	19.5	80	1.8	1.7	50	1.6
1000	116	180	70	7	7.0	21.0	75	1.3	2.7	50	2.4
1200	116	230	70	7	8.4	25.2	75	1.3	2.7	50	3
1250	116	230	70	7	8.8	26.3	75	1.2	3.0	50	3
1400	136	180	75	7	9.8	29.4	85	1.1	2.5	50	3.7
1700	136	230	80	5	8.5	25.5	85	1	2.8	50	4.2
850	136	125	70	8	6.8	20.4	75	1.6	2.2	50	1.9
950	136	125	60	8	7.6	22.8	80	1.1	2.8	50	2.4
1200	116	180	80	8	9.6	28.8	80	1	3.1	50	2.4
1200	116	180	60	5	6.0	18.0	100	0.8	2.5	50	2.4
1500	136	180	70	5	7.5	22.5	100	0.9	2.2	50	3.7
2700	136	335	80	5	13.5	40.5	110	0.85	1.9	50	6.1

Boltahe	1300V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
230	86	125	50	15	5.7	17.1	35	5	3.3	32	1.1
210	86	130	50	15	3.2	9.5	70	2	2.0	32	1.1
330	86	180	60	15	5.0	14.9	65	3	1.6	32	1.5
470	86	230	65	12	5.6	16.9	65	3.2	1.5	32	1.8
410	116	130	65	12	4.9	14.8	80	1.8	1.7	50	1.6
650	116	180	65	10	6.5	19.5	85	2	1.4	50	2.4
880	116	230	80	10	8.8	26.4	85	2.2	1.3	50	3
900	136	180	70	7	6.3	18.9	100	1.6	1.3	50	3.7
1200	136	230	80	7	8.4	25.2	105	1.5	1.2	50	4.2

Boltahe	1500V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
160	86	125	50	15	5.7	17.1	35	5	3.3	32	1.1
160	86	130	50	15	2.4	7.2	60	3.5	1.6	32	1.1
240	86	180	55	15	3.6	10.8	65	5	0.9	32	1.5
320	86	230	55	12	3.8	11.5	60	3.5	1.6	32	1.8
300	116	130	55	12	3.6	10.8	75	2	1.8	50	1.6
470	116	180	60	10	4.7	14.1	75	2.8	1.3	50	2.4
650	116	230	60	10	6.5	19.5	80	2.8	1.1	50	3
660	136	180	60	7	4.6	13.9	100	1.8	1.1	50	3.7
900	136	230	60	6	5.4	16.2	105	1.2	1.5	50	4.2
1000	136	260	70	5	5.0	15.0	120	0.9	1.5	50	4.7

Boltahe	1800V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
130	86	125	55	15	5.7	17.1	35	5	3.3	32	1.1
120	86	130	55	15	1.8	5.4	60	2.5	2.2	32	1.1
180	86	180	60	15	2.7	8.1	65	2	2.4	32	1.5
260	86	230	60	12	3.1	9.4	60	3	1.9	32	1.8
230	116	130	60	12	2.8	8.3	80	2	1.6	50	1.6
360	116	180	65	10	3.6	10.8	80	3.2	1.0	50	2.4
500	116	230	70	10	5.0	15.0	75	3	1.2	50	3
510	136	180	70	7	3.6	10.7	100	2	1.0	50	3.7
680	136	230	70	7	4.8	14.3	95	2	1.1	50	4.2

Boltahe	2000V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
100	86	125	55	15	1.5	4.5	35	3.8	4.3	32	1.1
90	86	130	55	15	1.4	4.1	65	2.5	1.9	32	1.1
150	86	180	60	15	2.3	6.8	60	3.5	1.6	32	1.5
200	86	230	60	12	2.4	7.2	65	2	2.4	32	1.8
180	116	130	65	10	1.8	5.4	75	2.5	1.4	50	1.6
280	116	180	70	10	2.8	8.4	70	2	2.0	50	2.4
380	116	230	80	10	3.8	11.4	80	2	1.6	50	3
400	136	180	60	7	2.8	8.4	100	1.6	1.3	50	3.7
550	136	230	70	7	3.9	11.6	100	1.5	1.3	50	4.2
850	136	335	80	5	4.3	12.8	120	1.1	1.3	50	6.1

Boltahe	2800V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
160	116	180	70	30	4.8	14.4	75	2.2	1.6	50	2.4
210	116	230	75	25	5.3	15.8	70	2.8	1.5	50	3
225	136	180	75	20	4.5	13.5	85	2	1.4	50	3.7
300	136	230	80	15	4.5	13.5	80	2.5	1.3	50	4.2

Boltahe	4000V.DC
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton
70	116	180	70	50	3.5	10.5	70	3.5	1.2	50	2.4
95	116	230	75	40	3.8	11.4	70	3.6	1.1	50	3
100	136	180	75	35	3.5	10.5	85	3	0.9	50	3.7
135	136	230	80	30	4.1	12.2	80	3.5	0.9	50	4.2

Ang among pag-uswag nag-agad sa palibot sa sopistikado nga galamiton, talagsaon nga mga talento ug balik-balik nga gipalig-on nga mga pwersa sa teknolohiya alang sa Propesyonal nga China Intelligent Combined Anti-Harmonic Low Voltage Power Capacitor Compensation Device Intelligent Power Capacitor (Reactor Three Phase Compensation 480V 7%), Nagpadayon kami sa tukma sa panahon nga mga iskedyul sa pagpadala, modernong mga disenyo , taas nga kalidad ug transparency alang sa among mga kliyente.Ang among moto mao ang paghatag ug taas nga kalidad nga mga solusyon sulod sa gitakda nga oras.Propesyonal nga ChinaChina Power Capacitor ug Intelligent Capacitor, Ang matag customer nga makatagbaw mao ang atong tumong.Nangita kami og dugay nga kooperasyon sa matag kustomer.Aron matubag kini, gipadayon namon ang among kalidad ug naghatag usa ka talagsaon nga serbisyo sa kustomer.Malipayon nga pag-abut sa among kompanya, kami nagpaabut nga mokooperar kanimo.

Kaniadto: Pabrika nga naghimo sa DC-Link Film Capacitor alang sa Inversion Welding Machine

Sunod: Paghatag og OEM/ODM Polypropylene Capacitor Sh Cbb60 AC Motor Run Capacitor Capacitor Paggama sa China Supplier