Bag-ong AC filter capacitor alang sa modernong converter ug aplikasyon sa UPS

Mubo nga paghulagway:

Naghimo ang CRE og daghang halapad nga film dielectric capacitor - gikan sa mga solusyon sa high power capacitor para sa industriyal ug automotive nga industriya, hangtod sa high power nga mga capacitor sa pelikula nga haum sa tanang power electronic nga aplikasyon sa usa ka boltahe nga nagsangkad sa 100V volts hangtod sa 100 kV.

Ipadala ang email kanamo I-download isip PDF

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Teknikal nga datos

Sakup sa temperatura sa operasyon		Max. Operating temperatura., Ibabaw, max: +85 ℃ Upper kategoriya temperatura: + 70 ℃ Ubos nga kategoriya temperatura:-40 ℃
sakup sa kapasidad	Usa ka hugna	20UF～500μF
	tulo ka hugna	3×40UF～3×200μF
Un/ Rated nga boltahe Un		330V.AC/50Hz～1140V.AC/50Hz
Si Cap.tol		±5%(J);
Makasukol sa boltahe		Vt-t	2.15Un / 10S
		Vt-c	1000+2×Un V.AC 60S(min3000V.AC)
Labaw sa Boltahe		1.1Un(30% sa on-load-dur.)
		1.15Un(30min/adlaw)
		1.2Un(5min/adlaw)
		1.3Un(1min/adlaw)
		1.5Un (100ms matag higayon, 1000 ka beses sa tibuok kinabuhi)
Kahulogan sa pagkawagtang		tgδ≤0.002 f=100Hz
		tgδ0≤0.0002
Pagbatok sa insulasyon		RS*C≥10000S(sa20℃ 100V.DC)
Pagpugong sa siga		UL94V-0
Maximum nga aititude		2000m
		Kung ang altitude labaw sa 2000m hangtod sa ubos sa 5000m, kinahanglan nga tagdon ang paggamit sa pagkunhod sa kantidad.
Gidahom sa kinabuhi		100000h(Un; Θhotspot≤55 °C)
Sumbanan sa pakisayran		IEC61071;IEC 60831;

Feature

Ang among teknolohiya kay dry design kasagaran, base sa polypropylene dielectrics.

Ang mga aplikasyon gikan sa DC filtering, AC filtering, snubbing, resonance to discharge ug taas nga pagtipig sa enerhiya.

Mga benepisyo sa teknolohiya

Ang CRE film capacitor anaa sa usa ka halapad nga mga configuration ug performance specifications, power film capacitors naghatag og mas luwas nga mga solusyon kay sa aluminum electrolytic, nga adunay limitado nga boltahe nga range ug usa ka taas nga risgo sa leakage, ug uban pang mga teknolohiya nga pisikal nga dili makahimo sa luwas ug epektibo nga paagi. pagdumala sa taas nga boltahe ug taas nga kasamtangan sa mapuslanon nga mga kantidad sa kapasidad.

Ang among kasinatian nga technical team kanunay nga nagsuporta sa mga kustomer nga adunay piho nga mga solusyon alang sa ilang mga aplikasyon.

Tipikal nga sirkito

mc2

Gidahom sa kinabuhi

mc3

Outline drawing sa usa ka hugna

ΦD(mm)	P(mm)	H1(mm)	S	F	M
76	32	20	M12×16	M6×10	M8 × 20
86	32	20	M12×16	M6×10	M8 × 20
96	45	20	M12×16	M6×10	M8 × 20
116	50	22	M12×16	M6×10	M8 × 20
136	50	30	M16×25	M6×10	M8 × 20

mc4

mc5

Outline nga drowing sa tulo ka hugna

ΦD(mm)	H1(mm)	S	F	M	D1	P
116	40	M12×16	M6×10	M8 × 20	50	43.5
136	30	M16×25	M6×10	M8 × 20	60	52

mc6

Boltahe			Un=330V.AC Us=1200V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
80	76	80	40	80	6.4	19.2	30	4	4.2	32	0.5
120	86	80	40	70	8.4	25.2	40	2.8	3.3	32	0.7
150	96	80	45	70	10.5	31.5	50	3.5	1.7	45	0.75
170	76	130	50	60	10.2	30.6	60	3.2	1.3	32	0.75
230	86	130	50	60	13.8	41.4	70	2.4	1.3	32	1.1
300	96	130	50	50	15.0	45.0	75	2.8	1.0	45	1.2
420	116	130	60	50	21.0	63.0	80	1.9	1.2	50	1.6

Boltahe			Un=450V.AC Us=1520V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
50	76	80	40	90	4.5	13.5	30	4	4.2	32	0.5
65	86	80	50	80	5.2	15.6	40	2.8	3.3	32	0.7
80	96	80	45	80	6.4	19.2	50	3.5	1.7	45	0.75
100	76	130	50	70	7.0	21.0	60	3.2	1.3	32	0.75
130	86	130	45	60	7.8	23.4	70	2.4	1.3	32	1.1
160	96	130	50	50	8.0	24.0	75	2.8	1.0	45	1.2
250	116	130	60	50	12.5	37.5	80	1.9	1.2	50	1.6

Boltahe			Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
40	76	130	50	100	4.0	12.0	30	2.8	6.0	32	0.75
50	76	150	45	90	4.5	13.5	35	2.4	5.1	32	0.85
60	86	130	45	80	4.8	14.4	40	2.2	4.3	32	1.1
65	86	150	50	80	5.2	15.6	45	1.8	4.1	32	1.2
75	96	130	50	80	6.0	18.0	50	1.5	4.0	45	1.2
80	96	150	55	75	6.0	18.0	60	1.2	3.5	45	1.3
110	116	130	60	70	7.7	23.1	65	0.8	4.4	50	1.6
120	116	150	65	50	6.0	18.0	75	0.6	4.4	50	1.8

Boltahe			Un=850V.AC Us=2850V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
25	76	130	50	110	2.8	8.3	35	1.5	8.2	32	0.75
30	76	150	60	100	3.0	9.0	40	1.2	7.8	32	0.85
32	86	130	45	100	3.2	9.6	50	1.15	5.2	32	1.1
45	86	150	50	90	4.1	12.2	50	1.05	5.7	32	1.2
40	96	130	50	90	3.6	10.8	50	1	6.0	45	1.2
60	96	150	60	85	5.1	15.3	60	0.9	4.6	45	1.3
60	116	130	60	80	4.8	14.4	65	0.85	4.2	50	1.6
90	116	150	65	75	6.8	20.3	75	0.8	3.3	50	1.8

Cn (μF)		φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)	ESR(mΩ)	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)

	Boltahe			Un=400V.AC Us=1200V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
3×	110	116	130	100	60	6.6	19.8	3×50	3×0.78	4.5	43.5	1.6
3×	145	116	180	110	50	7.3	21.8	3×60	3×0.72	3.8	43.5	2.4
3×	175	116	210	120	50	8.8	26.3	3×75	3×0.67	3.5	43.5	2.7
3×	200	136	230	125	40	8.0	24.0	3×85	3×0.6	2.1	52	4.2

	Boltahe			Un=500V.AC Us=1520V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
3×	100	116	180	100	80	8.0	24.0	3×45	3×0.78	4.5	43.5	2.6
3×	120	116	230	120	70	8.4	25.2	3×50	3×0.72	3.8	43.5	3
3×	125	136	180	110	40	5.0	15.0	3×70	3×0.67	3.5	52	3.2
3×	135	136	230	130	50	6.8	20.3	3×80	3×0.6	2.1	52	4.2

	Boltahe			Un=690V.AC Us=2100V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
3×	49	116	230	120	70	3.4	10.3	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	90	5.0	15.0	3×56	3×0.4	2.1	52	4.2

	Boltahe			Un=850V.AC Us=2580V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	mao(KA)	Irms(A)50 ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	P(mm)	gibug-aton (Kg)
3×	41.5	116	230	120	80	3.0	9.0	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	50	0.4	1.2	3×104	3×0.45	1.8	52	4.2